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厂商型号

MPSA55 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT PNP Transistor General Purpose

内部编号

3-MPSA55

#1

数量:57347
1+¥0.3852
25+¥0.3852
100+¥0.3852
500+¥0.3852
1000+¥0.3082
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MPSA55产品详细规格

规格书 MPSA55 datasheet 规格书
MPSA55, MMBTA55, PZTA55
MPSA55 datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,000
晶体管类型 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 60V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 250mV @ 10mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大) 100nA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 100 @ 100mA, 1V
功率 - 最大 625mW
频率转换 50MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供应商器件封装 TO-92-3
包装材料 Bulk
集电极最大直流电流 0.5
最低工作温度 -55
安装 Through Hole
Maximum Transition Frequency 50(Min)
包装宽度 4.19(Max)
PCB 3
最大功率耗散 625
类型 PNP
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 60
最大集电极发射极电压 60
供应商封装形式 TO-92
标准包装名称 TO-92
最高工作温度 150
包装长度 5.2(Max)
引脚数 3
最小直流电流增益 50@10mA@1V|50@100mA@1V
包装高度 5.33(Max)
最大基地发射极电压 4
封装 Bulk
铅形状 Through Hole
电流 - 集电极( Ic)(最大) 500mA
晶体管类型 PNP
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 50MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 250mV @ 10mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大) 100nA
标准包装 2,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 60V
供应商设备封装 TO-92-3
功率 - 最大 625mW
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 100 @ 100mA, 1V
其他名称 MPSA55FS
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
集电极电流( DC)(最大值) 0.5 A
集电极 - 基极电压 60 V
集电极 - 发射极电压 60 V
发射极 - 基极电压 4 V
频率 50 MHz
功率耗散 0.625 W
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 TO-92
元件数 1
直流电流增益 50
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
晶体管极性 PNP
集电极电流(DC ) 0.5 A
Weight (kg) 0.002
Tariff No. 85412100
associated MPSA55G
NTE159..

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